Гидроксид тетраметиламмония это четвертичное аммонийное соединение с молекулярной формулой4NOH. Он используется как анизотропный травитель для кремния. Также используется как основной растворитель при производстве кислотного фоторезиста в процессе фотолитографии. Поскольку он является катализатором фазового перехода, он очень эффективен для удаления фоторезиста. Также используется как поверхностно-активное вещество при синтезе ферромагнитных жидкостей, чтобы препятствовать слипанию её частиц.
Гидроксид тетраметиламмония | |
---|---|
Общие | |
Систематическое наименование |
Тетраметиловый гидроксид аммония |
Сокращения | TMAH, TMAOH |
Хим. формула | (CH3)4NOH |
Классификация | |
Рег. номер CAS | 75-59-2 |
PubChem | 60966 |
Рег. номер EINECS | 200-882-9 |
SMILES |
C[N+](C)(C)C.[OH-]
|
InChI |
1S/C4H12N.H2O/c1-5(2,3)4;/h1-4H3;1H2/q+1;/p-1
WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M
|
ChemSpider | 54928 |
Безопасность | |
NFPA 704 |
|
Токсичность
Раствор TMAH является сильным основанием. Ионы тетраметиламмония могут повреждать нервы и мышцы, приводя к затруднению дыхания и, возможно, смерти вскоре после контакта даже с небольшим количеством вещества. Чистый TMAH практически не имеет запаха, загрязнённый триметиламином (который применяется в производстве четвертичных аммониевых солей) имеет запах мертвой рыбы.
Анизотропный травитель
TMAH относится к семейству растворов четвертичных гидроксидов аммония и широко используется для анизотропного травления кремния. Типичная температура травления 70°-90 °C, типичная концентрация 5 %-25 % TMAH по массе в водном растворе. Скорость травления кремния увеличивается с ростом температуры и падает с ростом концентрации TMAH. Грубость травления кремниевой поверхности увеличивается с ростом концентрации TMAH, при концентрации 20 % получается гладкая поверхность травления.
Распространённые материалы для масок при длительном травлении в TMAH включают в себя диоксид кремния (химически осаждённый из газовой фазы при пониженном давлении ) и нитрид кремния. Нитрид кремния имеет незначительную скорость травления в TMAH; скорость травления в TMAH для диоксида кремния зависит от качества плёнки, но в целом имеет порядок 0.1 нм/минуту.