Сульфид олова (II)

Сульфид олова(II) — соединение олова и серы с формулой SnS. Тёмно-коричневый порошок, в компактном состоянии кристаллы с металлическим блеском. Важный полупроводник.

Сульфид олова​(II)​
Общие
Систематическое
наименование
Сульфид олова​(II)​
Хим. формула SnS
Рац. формула Sn1−δS1+δ, 0<δ<0,00027
Физические свойства
Молярная масса 151 г/моль
Термические свойства
Энтальпия
 • образования −108 кДж/моль
Классификация
Рег. номер CAS 1314-95-0
PubChem
Рег. номер EINECS 215-248-7
SMILES
InChI
ChemSpider

Физические свойства

Моносульфид олова — нестехиометрическое соединение, где 0<δ<0,00027, растворяет до 2,7⋅10−2 ат.% серы.

Существует в двух модификациях α и β, температура перехода α→β 605 °C, ΔH перехода α→β 0,7 кДж/моль.

ΔG образования (α-SnS): −108 кДж/моль.

ΔH возгонки 220 кДж/моль; сублимируется без разложения. Уравнение температурной зависимости давления пара: lg p(Па) = −10600/T + 12,27.

Температурный коэффициент линейного расширения 14,1⋅10−6 К−1. Теплопроводность 0,113 Вт/(см·К).

Полупроводник обычно p-типа, эффективная масса дырок вдоль осей а, b, с: Mа = Mb = 0,2 me, Mс = 1,0 me (me — масса свободного электрона); температурный коэффициент ΔE: −4,8⋅10−4 К−1.

Химические свойства

Нерастворим в воде и разбавленных минеральных кислотах, растворяется с разложением в концентрированных серной и азотной кислотах, в насыщенном водном растворе полисульфида аммония растворяется с образованием комплексов.

Получение

Получают сплавлением стехиометрических составов олова и серы, осаждением из водных растворов солей Sn(II) с H2S в присутствии H2SO4, взаимодействием расплавленного SnCl2 с серой. Монокристаллы и эпитаксиальные плёнки выращивают химическим осаждением из газовой фазы, методами химических транспортных реакций, монокристаллы — также направленной кристаллизацией из расплава. SnS — также весовая форма при определении Sn2+, катализатор полимеризации, используется для получения SnO2.

Нахождение в природе

В природе представлен редким минералом герценбергитом.

Применение

Моносульфид олова применяется как полупроводниковый материал для фоторезисторов и фотодиодов.