Фосфид индия — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.
| Фосфид индия | |
|---|---|
| Общие | |
| Хим. формула | InP |
| Физические свойства | |
| Молярная масса | 145.79 г/моль |
| Плотность | 4.81 г/см³ |
| Термические свойства | Температура |
| • плавления | 1062 °C |
| Структура | |
| Кристаллическая структура | кубическая, структура сфалерита |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 22398-80-7 |
| PubChem | 31170 |
| Рег. номер EINECS | 244-959-5 |
| SMILES |
P#[In]
|
| InChI |
1S/In.P
GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
|
| ChEBI | 82281 |
| ChemSpider | 28914 и 22199222 |
