Арсенид индия, — бинарное неорганическое соединение индия и мышьяка. Химическая формула соединения InAs.
| Арсенид индия | |
|---|---|
| Общие | |
| Хим. формула | InAs |
| Физические свойства | |
| Молярная масса | 189,74 г/моль |
| Плотность | 5,68 г/см³ |
| Термические свойства | Температура |
| • плавления | 942 °C |
| Структура | |
| Кристаллическая структура |
кубическая, структура сфалерита a = 0,60584 нм |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 1303-11-3 |
| PubChem | 91500 |
| Рег. номер EINECS | 215-115-3 |
| SMILES |
[As]#[In]
|
| InChI |
1S/As.In
RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N
|
| ChemSpider | 82621 |
| Безопасность | |
| NFPA 704 |
|
Кристаллизуется в структуре типа сфалерита.
Является прямозонным полупроводник, относящимся к полупроводникам группы AIIIBV. При 300 К имеет ширину запрещённой зоны около 0,35 эВ.
Применяется для изготовления сверхвысокочастотных транзисторов. Также, светодиодов и фотодиодов, работающих в инфракрасной области электромагнитного излучения, датчиков Холла магнитного поля, для организации ансамблей квантовых точек в некоторых полупроводниковых приборах.
Ввиду низкой ширины запрещённой зоны, большинство полупроводниковых приборов, изготовленных из этого материала работают только при криогенных или очень низких температурах.
