Оксид индия, галлия и цинка — полупроводниковый материал, который может быть использован как канал для прозрачных тонкоплёночных транзисторов. Эти материалы могут являться заменой аморфного кремния для активной матрицы ЖК-экранов и дисплеев OLED. Подвижность электронов этого материала в сорок раз выше, чем у аморфного кремния, что позволяет уменьшить размер пикселя или время отклика экрана. Новые транзисторы на базе технологии IGZO не требуют постоянного обновления своего состояния при показе неподвижного изображения. Это даёт возможность уменьшить влияние интерференции со стороны электронных компонентов экрана и сократить энергопотребление. Использование IGZO ведёт к повышению точности и чувствительности сенсорных панелей.
Оксид кобальта(II) Общие Систематическое наименование оксид кобальта(II) Традиционные названия окись кобальта Хим. формула
Амфотерные оксиды — солеобразующие оксиды, проявляющие в зависимости от условий либо основные, либо кислотные свойства.
Вода — бинарное неорганическое соединение с химической формулой H2O: молекула воды состоит из двух атомов
Гамма-оксид молибдена (γ-оксид молибдена) — неорганическое соединение, окисел молибдена с формулой Mo₄O₁₁, фиолетовые кристаллы. Гамма-оксид молибдена
Динептунат(VI) натрия — неорганическое соединение, комплексный оксид нептуния и натрияс формулой Na2Np2O7, кристаллы, образует кристаллогидраты.
Динептунат(VI) цезия — неорганическое соединение, комплексный оксид нептуния и цезияс формулой Cs2Np2O7, кристаллы. Динептунат(VI) цезия